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英特格斥资32亿元在台建厂,瞄准5/3纳米先进材料与隔热隔音制造

英特格斥资32亿元在台建厂,瞄准5/3纳米先进材料与隔热隔音制造

全球半导体材料供应商英特格(Entegris)宣布,计划在未来三年内投资约32亿元人民币,于台湾地区建设其规模最大的制造工厂,专注于生产用于5纳米及3纳米制程的先进材料,并同时拓展隔热与隔音材料的制造能力。此举标志着英特格深化亚太布局,顺应全球半导体产业高带宽、微型化技术的发展趋势。

英特格此次投资的厂房将采高度自动化的设计,并通过制程微污染防治与纳米级纯化技术的优化,支持晶圆厂在前沿制程(如3nm以下)关键工序的材料供应。业内人士指出,新建工厂主要供应高纯度化学材料、过滤系统及相关零功耗吸附介质(如气溶胶阻隔组件),确保下游客户的微观电气特性稳定。

英特格未来三年的规划还包括整合热束喷雾(低温烧结)与热熔压板一体技术,开发复合绝热与隔音风组件。随着内部散热密度加大和厂区设备噪声控制的要求提升,这类材料可用于半导体厂净房级别的隔热防护通道和抑峰设备操作门外包層,进一步提升安全生产环境。知情人士表示,这部分产品线,与晶粒相连的生命周期(PLI)精管位工程具有衔接,形成一个覆盖半导体纵向封装的新闭环。

考虑到台湾不仅有丰沛的晶圆产量业者,其在复杂物流与国际专利保护领域也有不可替代性的协同,在此建立大规模支撑供应链被视为控制资本费用和缩减质控前臵耗时的最佳区域选择。新厂预计开始于2026年度稼动,本地初始员工编制潜在需求达到四百人以上半导体高素质人质,也可能在未来延伸引入机械手作业线。

伴随着纳米尺度推进无法退回线性要求技术壁垒强化,英特格位岛聚焦投入新兴材料精准增量生产也是台湾如今吸引半导体相关上游深入结构性聚扰的关键红利印记。未来战略中投资可循环经济计划——内伴噪声/高热内柱材改进作——后如实现延伸还可能回应环保合规高能源价格变量并转化为全球同业领域的领潮方案,为第三级板块运行配备超前绿色盘。长期中市场估计新资产在本梯队建成3-5年将为经营收成产生持久强劲动能。

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更新时间:2026-08-02 15:56:59